삼성전자 차세대 파운드리 로드맵 수정? 5나노 -> 3나노 직행

삼성전자가 4나노(nm) 공정을 건너 뛰고 3나노(nm)로 직행할 가능성이 있다고 샘모바일 등 외신이 2일(현지시간) 보도했다.

지난 2017년 삼성전자는 삼성 파운드리 포럼을 통해 4나노 공정까지 차세대 파운드리 로드맵을 발표한 바 있다. 그러나, 새로운 보고서에 따르면 삼성전자는 4나노 노드에 대한 투자 계획을 철회하고 현재 5나노 공정에서 3나노 공정으로 바로 직행할 것으로 알려졌다.

이는 경쟁업체인 대만 TSMC가 계획하고 있는 것과 정반대 전략이다. TSMC는 2023년까지 4나노 N4 공정을 완료할 것으로 예상된다. 또한, TSMC는 2022년까지 3나노 칩 생산 시설을 위해 200억 달러의 투자를 확보할 계획이다.

삼성전자는 현재 5나노 EUV(극자외선) 공정을 기반으로 차세대 엑시노스 SoC 양산을 앞두고 있다. '엑시노스 992'로 불리는 새로운 칩셋은 차기 갤럭시노트20 시리즈에 탑재될 것이라는 소문도 돌고 있다.

삼성전자 5나노 공정은 셀 설계 최적화를 통해 기존 7나노 공정 대비 로직 면적을 25% 줄일 수 있으며, 20% 향상된 전력 효율 또는 10% 향상된 성능을 제공한다. 만약, 보도대로 삼성전자가 3나노 공정으로 직행해 개발에 성공할 경우 초미세공정 경쟁에서 TSMC보다 한 걸음 더 앞설 수 있다.

한편, TSMC는 현재 화웨이, 애플, 구글, 퀄컴, 엔비디아, AMD 같은 글로벌 팹리스(반도체 설계회사)를 고객사로 두고 있으며 2분기 글로벌 파운드리 시장에서 51.5% 점유율로 압도적인 1위를 달리고 있다.


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