갤럭시 DDR4 클럭의 최종 버전?, 동작 속도 5,000MHz 메모리 준비중

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갤럭시에서 자사 HOF 튜닝 메모리의 라인업에서 DDR4 5,000MHz의 클럭을 갖은 메모리를 공개 했다.

현재 갤럭시 사의 고클럭 튜닝 메모리 라인업으로는 최대 4,800MHz의 클럭을 갖은 모델이 존재하며, 해당 메모리의 타이밍은  CL19-22-22-46 1.5V의 스펙을 갖은 메모리를 출시한 바 있다.

금번 갤럭시에서 출시 준비중인 차세대 고클럭 메모리는 이 보다 한 단계 더 높은 5,000MHz의 동작 속도를 갖은 메모리다. 해당 메모리의 타이밍은 CL19-26-26-46를 갖고 있으며, 동작 전압의 경우엔 아직 확인되지 않았다.

한편, 앞서 언급했듯 해당 5,000MHz 메모리의 동작 전압의 경우엔 아직 정확하진 않지만 추측으로는 메모리 클럭은 4,800대비 상승했기 때문에, 기존 1.5V와 동일하거나 혹은 소폭 더 높을 것으로 예측되고 있다.


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