삼성전자, 다음주 GAA기반 3나노 파운드리 세계 최초 양산 발표

 ì‚¼ì„±ì „자가 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 최초 3나노(nm) 공정을 활용한 제품 생산에 나선다.

22일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 다음주 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다.

삼성의 GAA 기반 3나노 공정은 삼성이 사용한 핀펫(FinFET) 기반 5나노 공정 대비 칩 면적은 35% 감소하고 성능은 30%, 전력 소비는 50% 개선된다.

파운드리 업계 1위인 대만 TSMC는 3나노까지는 기존 핀펫 방식을 사용하고 2나노 공정부터 GAA를 적용할 예정이다.

한편, 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 전년 말의 52.1%에서 53.6%로 소폭 상승했으며, 삼성전자는 같은 기간 18.3%에서 16.3%로 소폭 줄었다.


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