삼성전�, 다�주 GAA기반 3나노 파운드리 세계 최초 양산 발표

 ì‚¼ì„±ì „ìž�ê°€ 파운드리(ë°˜ë�„ì²´ 위íƒ�ìƒ�ì‚°) 업계 최초 3나노(nm) 공정ì�„ 활용한 제품 ìƒ�ì‚°ì—� 나선다.

22� 관련 업계� 따르면 삼성전�는 다�주 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반�체 공정� 양산� 공� 발표할 것으로 알려졌다.

삼성� GAA 기반 3나노 공정� 삼성� 사용한 핀펫(FinFET) 기반 5나노 공정 대비 칩 면�� 35% �소하고 성능� 30%, 전력 소비는 50% 개선�다.

파운드리 업계 1위� 대만 TSMC는 3나노까지는 기존 핀펫 방�� 사용하고 2나노 공정부터 GAA를 �용할 예정�다.

한편, 대만 시장조사업체 트렌드�스� 따르면 올해 1분기 파운드리 시장 �유율� TSMC가 전년 �� 52.1%�서 53.6%로 소� �승했으며, 삼성전�는 같� 기간 18.3%�서 16.3%로 소� 줄었다.