TSMC 3나노 핀펫 공정 한계 도달했나.. A17 바이오닉 성능 예상보다 낮을 수 있어

세계 최대 파운드리업체 TSMC의 3나노(nm) 노드 수율 문제로 애플 A17 바이오닉 초기 성능이 예상보다 낮을 수 있다고 외신이 IT 트위터리안 레베그너스(@tech_reve)를 인용해 보도했다.

보도에 따르면 팁스터는 "TSMC N3B 노드가 계획대로 진행되지 않고 있다"며 "애플 A17 바이오닉 SoC가 처음 예상했던 것보다 20% 낮은 성능 향상을 제공할 수 있다"고 전했다.

삼성전자는 업계 최초 차세대 공정인 게이트올어라운드(GAA) 기술을 가장 먼저 3나노에 적용했다. 삼성과 달리 TSMC는 기존 5나노에 사용됐던 핀펫(FinFET)을 개선한 핀플렉스(FinFlex) 공정을 3나노에 적용했지만 핀펫 공정이 한계에 도달하면서 수율 안정화에 고전하고 있는 것으로 알려졌다.

이와 관련 또 다른 팁스터 RG클라우드S는 "삼성의 3나노 GAE가 유일한 진정한 3나노이며 TSMC N3E는 가짜 3나노"라면서 "4나노가 핀펫 공정의 한계이며 그 이상 힘을 가하면 누전, 과열, 일관되지 않은 성능이 발생한다"고 주장했다.

삼성파운드리는 현재 GAA 기반 1세대 3나노 공정을 안정적인 수율로 양산하고 있으며 내년에는 2세대 3나노 양산을 시작할 예정이다. 삼성에 따르면 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적은 16% 축소되며 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적은 35% 축소된다.

한편, TSMC는 2나노 공정부터 GAA 기술을 도입할 것으로 알려졌다.


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