TSMC 3나노 핀펫 공정 한계 �달했나.. A17 바�오닉 성능 예�보다 낮� 수 있어

세계 최대 파운드리업체 TSMC� 3나노(nm) 노드 수율 문제로 애플 A17 바�오닉 초기 성능� 예�보다 낮� 수 있다고 외신� IT 트위터리안 레베그너스(@tech_reve)를 �용해 보�했다.

보�� 따르면 �스터는 "TSMC N3B 노드가 계�대로 진행�지 않고 있다"며 "애플 A17 바�오닉 SoC가 처� 예�했� 것보다 20% 낮� 성능 향�� 제공할 수 있다"고 전했다.

삼성전�는 업계 최초 차세대 공정� 게�트올어�운드(GAA) 기술� 가장 먼저 3나노� �용했다. 삼성과 달리 TSMC는 기존 5나노� 사용�� 핀펫(FinFET)� 개선한 핀플렉스(FinFlex) 공정� 3나노� �용했지만 핀펫 공정� 한계� �달하면서 수율 안정화� 고전하고 있는 것으로 알려졌다.

�와 관련 � 다른 �스터 RG��우드S는 "삼성� 3나노 GAE가 유�한 진정한 3나노�며 TSMC N3E는 가짜 3나노"�면서 "4나노가 핀펫 공정� 한계�며 그 �� 힘� 가하면 누전, 과열, �관�지 않� 성능� 발�한다"고 주장했다.

삼성파운드리는 현재 GAA 기반 1세대 3나노 공정� 안정�� 수율로 양산하고 있으며 내년�는 2세대 3나노 양산� 시작할 예정�다. 삼성� 따르면 3나노 GAA 1세대 공정� 기존 5나노 핀펫 공정과 비�해 전력 45% 절�, 성능 23% 향�, 면�� 16% 축소�며 GAA 2세대 공정� 전력 50% 절�, 성능 30% 향�, 면�� 35% 축소�다.

한편, TSMC는 2나노 공정부터 GAA 기술� �입할 것으로 알려졌다.