삼성파운드리 4나노 �신� �유 있었네.. '갤럭시S23 FE' 성능 S22 앞서

▲갤럭시S22 긱벤치

 ì‚¼ì„±ì „ìž�ê°€ 하반기 출시할 예정ì�¸ 준프리미엄급 스마트í�° '갤럭시S23 FE(팬ì—�디션)' 성능ì�´ 2022ë…„ 플래그십 갤럭시S22를 앞서는 것으로 알려졌다.

18�(현지시간) 삼성전� 소�� 전하는 샘모바�� 갤럭시S23 FE� 탑재� 엑시노스 2200 칩셋� 갤럭시S22 칩셋보다 훨씬 뛰어난 성능� 보여준다고 보�했다.

보�� 따르면 12개 ��� 긱벤치 테스트 결과를 분�한 결과 갤럭시S22는 테스트 전반� 걸� 싱글 코어 �수 900~1500�, 멀티 코어 �수 3400~3500�� 기�한 반면, 갤럭시S23 FE는 싱글 코어�서 1600� ��, 멀티 코어 �수 4100� ��� 지��으로 기�했다.

갤럭시S23 FE와 갤럭시S22 모�� 모� 삼성파운드리� 4나노(nm) 기반 엑시노스 2200 칩셋으로 구��다. ��한 �럭� 칩셋� 탑재한 � 기기�서 �렇게 � 성능 차�가 난다는 것� 갤럭시S23 FE� 탑재� 엑시노스 2200 칩셋� 보다 최�화� 4나노 공정으로 제조��� 시사한다.

올해 초까지만 해� 삼성파운드리 4나노 수율� TSMC 70∼80%� 훨씬 못미치는 50%대로 추정�지만, 지난 7월 기준 75% 수준으로 �어올린 것으로 알려졌다. 수율 �만 아니� 발열 � 성능��는 � 마리 토�� 모� 잡� 것으로 전해졌다.

삼성전�는 내년 초 출시� 갤럭시S22, 갤럭시S22+ �부 모�� 4나노 엑시노스 2400 칩셋 탑재를 추진 중�다. 만약, 갤럭시S23 FE� 탑재� 엑시노스 2200 칩셋� 만족스러운 성능� 보여줄 경우, 엑시노스 2400 칩셋 역시 기대를 걸어볼 만하다.

▲갤럭시S23 FE 긱벤치