갤럭시S25 두뇌 '엑시노스 2500'…SD8 Gen4보다 전력 효율성 높다

삼성전자가 하반기 출시할 것으로 알려진 차기 엑시노스 2500(가칭) 칩셋이 전력 효율성에서 경쟁 제품인 퀄컴 스냅드래곤 8 4세대 칩셋을 능가할 것이라는 소문이 전해졌다.

19일 외신 보도에 따르면 팁스터 판다플래시는 "삼성파운드리의 2세대 3나노 노드 덕분에 엑시노스 2500의 전력 효율성이 스냅드래곤 8 4세대보다 뛰어날 것"이라고 주장했다.

삼성파운드리는 작년 2세대 3나노 공정 개발을 완료하고 올해 초부터 시험생산을 시작한 것으로 알려졌다. 2세대 3나노 공정으로 제조된 칩은 GAA(Gate-All-Around) 기술을 활용한다.

GAA는 트랜지스터의 게이트와 채널이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술로 기존 핀펫(FinFET) 구조보다 1면을 늘려 전력 효율을 높이는 방식이다. 또, 1세대 공정과 비교해 로직 면적이 21% 작아지고 성능과 전력 효율이 각각 22%, 34% 향상된 것이 특징이다.

외신은 "이는 엑시노스 2500 칩이 동일한 전력 소비 수준에서 더 높은 클럭 속도로 실행될 수 있음을 의미한다"고 전했다.

퀄컴 스냅드래곤 8 4세대 칩셋은 대만 TSMC가 2세대 3나노 공정으로 제조한다. TSMC는 현재 3나노에 기존 핀펫 방식을 적용하고 있다. GAA 기술은 2나노부터 적용할 계획이다.

특히, 스냅드래곤 8 4세대 칩셋은 효율성 코어가 빠진 2 + 6 성능 코어로만 구성되면서 전작보다 성능 향상폭은 크겠지만, 전력 소비 문제로 더 큰 5500mAh 이상 배터리가 필요할 수 있다는 소문도 돌고 있다.


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