삼성전자, 갤럭시S25 시리즈에 12나노 LPDDR5X 램(RAM) 탑재

케이벤치 기자 / pr@kbench.com 작성시간 : 2025/01/14 12:46:04

갤럭시S25 언팩 초대장

 삼성전자가 차기 플래그십 갤럭시S25 시리즈에 12나노(nm) LPDDR5X 램(RAM)을 탑재할 계획이라고 GSM아레나 등 외신이 국내 보고서를 인용해 13일(현지시간) 보도했다.

삼성전자는 갤럭시S24 시리즈에 13나노 LPDDR5X 램을 탑재했다. 차기 갤럭시S25 시리즈에 탑재되는 램은 LPDDR5X 규격은 동일하지만 제조 공정이 12나노로 변경된 것이 특징이다.

갤럭시S25 시리즈에 탑재되는 12나노 LPDDR5X 램은 미국 마이크론에서 초도 물량을 공급할 것으로 알려졌다. 삼성전자 MX 사업부는 그동안 삼성전자 메모리 사업부에서 공급하는 D램을 우선 사용했지만, 갤럭시S25 시리즈에서는 성능 및 발열 측면에서 우수한 미국 마이크론 D램을 우선 사용하기로 결정한 것으로 전해졌다.

삼성전자 메모리 사업부에서 제조하는 D램도 추후 공급될 것으로 예상된다. 미세 공정은 전력을 덜 사용하므로 발열이 줄어들고 효율성도 개선할 수 있다. 참고로 갤럭시S25 시리즈에서는 기본 모델도 12GB 램부터 시작되며 울트라 모델은 일부 국가에서 16GB 버전도 제공한다.

삼성은 갤럭시S25 시리즈 AP(애플리케이션 프로세서)도 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 칩을 전량 사용할 계획이다. 갤럭시S25 시리즈 핵심 부품 2종이 모두 非삼성 부품으로 대체된다면, 마진 악화 가능성이 높아질 수 있다. 자체 생산 부품을 사용하는 것이 원가 절감과 공급망 안정성 면에서 유리하기 때문이다.